JDP2S12CR(TE85L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | JDP2S12CR(TE85L,Q |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | DIODE PIN 180V 1A S-FLAT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Spitzensperr- (max) | 180V |
Supplier Device-Gehäuse | S-FLAT (1.6x3.5) |
Serie | - |
Widerstand @ If, F | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | SOD-123F |
Andere Namen | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | PIN - Single |
detaillierte Beschreibung | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
Strom - Max | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
JDP2S12CR(TE85L,Q Einzelheiten PDF [English] | JDP2S12CR(TE85L,Q PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() JDP2S12CR(TE85L,QToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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